طراحی و شبیه سازی تقویت کننده توزیع شده پهن باند کم نویز با سلول های آبشاری CMOS
سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 342
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
BPJCEE01_131
تاریخ نمایه سازی: 6 اسفند 1395
چکیده مقاله:
هدف از این مقاله طراحی تقویت کننده پهن باند ( 3.1GHz تا 10.6GHz ) کم نویز با استفاده از فن آوری CMOS 0.18um است که قابلیت استفاده در مخابرات و ارتباطات ماهواره ای را دارد. در طراحی تقویت کننده از چهار سلول DLNA که هر سلول شامل ساختار آبشاری است، استفاده شده است. دلیل استفاده از این نوع توپولوژی کاربردهای پهن باند این سلول ها می باشد. تطبیق در این نوع تقویت کننده ها به نحو مطلوبی انجام شده است به طوریکه تطبیق امپدانس ورودی و خروجی کمتر از 15dB- در کل باند به دست آمده است همچنین تقویت کننده برای گین 12.5dB و ریپل 0.3dB در محدوده باندی مورد نظر طراحی شده است. حداقل عدد نویز به دست آمده تقویت کننده 2.8dB است.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
صفر مسعودی
گروه مهندسی برق، واحد شیراز، دانشگاه آزاد اسلامی، شیراز، ایران
مجتبی صادقی
گروه مهندسی برق، واحد شیراز، دانشگاه آزاد اسلامی، شیراز، ایران
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :