تحلیل و بررسی مزایای ماسفت با کانال گود شده (RC)

سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 418

متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

BPJCEE01_031

تاریخ نمایه سازی: 6 اسفند 1395

چکیده مقاله:

ولتاژ آستانه یکی از مهم ترین عوامل در مدلسازی دستگاه است. در این مقاله روشی تحلیلی برای محاسبه ی ولتاژ آستانه ی ماسفت های کانال گود شده ( recessed channel RC) مورد مطالعه قرار می گیرد. اگر پارامترهای اصلی دستگاه مثل شعاع، ضخامت لایه ی اکسید و غلظت ناخالصی را بدانیم، می توان ولتاژ آتانه را به سادگی با استفاده از این مدل به دست آورد. این مدل با شبیه سازی عددی دو بعدی دستگاه، ولتاژ آستانه را پیش بینی می کند.

نویسندگان

مظفرالدین فردوسیان طهرانی

دانشگاه آزاد اسلامی، واحد سروستان، گروه برق، سروستان، ایران

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • S.H. Goodwin and J.D. Plummer, "Electrical performance and physics of ...
  • A. K. Natori, I. Sasaki, and F. Masuoka, "An analysis ...
  • _ "Short-channel effect immunity ad current capability of sub-0.1 micron ...
  • S. G. Chamberlain and S. Ramanan, "Drain-induced barrier- lowering analysis ...
  • J. Lee, _ Two-Bit/Cell NFGM Devices for HighDensity NOR _ ...
  • Atlas Device Simulation Software, Ver. 5.10.7.R, Silvaco International, Santa Clara, ...
  • نمایش کامل مراجع