بررسی تاثیر آلائیدگی آمونیاک بر خواص اپتوالکترونی نانوسیم کربنی اشباع شده با استفاده از نظریهی تابعی چگالی
سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 335
فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
SCMEMI13_180
تاریخ نمایه سازی: 6 بهمن 1395
چکیده مقاله:
در این پژوهش تاثیر آلائیدگی با مولکول آمونیاکNH3 بر خواص اپتوالکترونی نانوسیم کربنی با ساختار الماسی اشباع شده با هیدروژن DNw:H بررسی شده است. این بررسی به روش نظریهی تابعی چگالی و حل معادلات بسذرهای کوهن-شم با رهیافت میدان خودسازگار SCF و تقریب چگالی موضعیLDA انجام شده است. مورفولوژی نانوسیم الماس از نوع استوانهای با قطر مقطع nm0/88 و جهتگیری رشد در جهت صفحهی ) 100 ( انتخاب شده است. نتایج محاسبات نشان میدهد گاف اپتیکی نانوسیم الماس اشباع شده با هیدروژن به علت بالابودن نسبت سطح به حجم و به وجود آمدن ترازهای سطحی میان گاف اپتیکی، به میزان 2/71 نسبت به گاف اپتیکی الماس حجیم کاهش یافته است. همچنین افزودن مولکول آمونیاک به یکی از اتمهای کربن سطح جانبی نانوسیم الماس اشباع شده با هیدروژن، منجر به رسانا ) شدن نانوسیم شده است. بعلاوه اثر افزایش مولکولهای آمونیاک بر خواص اپتوالکترونی نانوسیم الماس رشد یافته در جهت صفحهی ) 100 بررسی گردید. طی این بررسی مشخص شد گاف اپتیکی و چگالی حالات الکترونی نانوسیم با افزایش تعداد مولکولهای آمونیاک به میزان دو و سه برابر حالت اولیه )یک مولکول آلائی( کاهش مییابد، به گونهای که تغییرات گاف اپتیکی از مرتبه دهم الکترون ولت است. علت این امر افزایش اندازهی ابر سلول و به تبع آن افزایش اثر حصر کوانتومی است
کلیدواژه ها:
نویسندگان
سیدمصطفی منوری
دانشجوی کارشناسی ارشد فیزیک ماده چگال
فرح مرصوصی
استادیار و عضو هیئت علمی دانشگاه صنعتی امیرکبیر
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :