بررسی مشخصه جریانی ترانزیستورهای نانو لوله کربنی چند کاناله بر مبنای تغییرات فاصله کانال و ضخامت اکسید

در این پژوهش به بررسی تحلیلی برخی پارامترهای اساسی ترانزیستورهای نانولوله کربنی چندکاناله با ساختار گیت فراگیر خواهیم پرداخت از انجایی که مهمترین عامل تغییر رفتار ترانزیستور خازن های داخلی آن می باشد ابتدا به معرفی خازن گیت Cgg که متشکل از خازن ذاتی گیت کانال Cgc و خازن های پارازیتی حاشیه کناری Cof و خازن کوپلاژ Cgtg است در ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی چند کاناله با در نظر گرفتن اثرات پوششی بین کانال های مجاور می پردازیم سپس به ارائه یک مدل شبیه سازی بالستیک برای ترانزیستورهای چند کاناله با در نظر گرفتن کامل خازن های ساختار آن به بررسی مشخصه ولتاژ جریانی افزازه با تغییر برخی پارامترهایی اساسی آن از قبیل فاصله کانال های مجاور و ضخامت اکسید از هم خواهیم پرداخت

کلیدواژه ها:

ترانزیستور نانولوله کربنی چند کاناله ، خازن های پارازیتی ، خازن های ذاتی