بررسی محل ذخیره بار در نانو کریستال های سیلیکان سنتز شده به روش کاشت یونی با انرژی فوق العاده کم

  • سال انتشار: 1385
  • محل انتشار: چهاردهمین کنفرانس مهندسی برق ایران
  • کد COI اختصاصی: ICEE14_301
  • زبان مقاله: فارسی
  • تعداد مشاهده: 1136
دانلود فایل این مقاله

نویسندگان

مجید شالچیان

پژوهشکده میکروالکترونیک ایران، nMat Group, CEMES-CNRS, ۲۹ rue Jeanne Marvig, ۳۱۰۵۵ Toulouse, France.

سید مجتبی عطاردی

پژوهشکده میکروالکترونیک ایران، دانشکده برق ، دانشگاه صنعتی شریف

Gerard BenAssayag

nMat Group, CEMES-CNRS, ۲۹ rue Jeanne Marvig, ۳۱۰۵۵ Toulouse, France.

Jeremie Grisolia

Département de Génie Physique, LNMO-INSA, ۱۳۵ Avenue de Rangueil, ۳۱۰۷۷ Toulouse, France.

چکیده

در این مقاله محل ذخیره بارهای الکتریکی در نانو کریستال هایی که با روش کاشت یونی با انرژی فوق العاده کم (1KeV) سنتز شده اند مورد بررسی قرار گرفته است. بدین منظور مدلسازی لازم با فرض ذخیره بار الکتریکی در تراز های کوانتمی نانو کریستال های سیلیکان انجام شده است و زمان تخلیه یک الکترون بر حسب پارامتر های مختلف ساختار از جمله ابعاد نانو کریستال و ضخامت سد پتانسیل تخمین زده شده است. این مدلسازی نشان می دهد که نگهداری داده ها به مدت زمان 10 سال برای نانو کریستال هایی به ابعاد 4 نانومتر و ضخامت اکسید 5 نانو منر قابل پیش بینی است. از طرفی مشخصه مدت زمان نگهداری داده ها در افزاره ساخته شده نشان دهنده زمان تخلیه داده ها به مدت 10 سال می باشد و لذا امکان آنکه تراز های کوانتمی مراکز غالب ذخیره بار در این نانو کریستال ها باشند وجود دارد.

کلیدواژه ها

سیلیکان، نانو کریستال، تونل زنی، تله های سطحی ، نقطه کوانتمی

مقالات مرتبط جدید

اطلاعات بیشتر در مورد COI

COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.

کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.