حمیدرضا صادقی مادوانی - دانشگاه آزاد اسلامی ، واحد زرین دشت، گروه مهندسی الکترونیک ، زرن دشت ، ایران
زیىب صفری - گروه فیزیک اتمی و مولکولی دانشگاه یزد

در این مقاله سه ساختار متفاوت از بلورهای فوتونیکی را مورد بررسی قرار گرفت و هدف از این بررسی افزایش مدهای جایگزیده در محدوده ممنوعه فرکانسی می باشد، روش مورد استفاده در این مقاله، ماتریس انتقال است. از بین ساختارهای پیشنهادی ما، در ساختار سوم (S)(ولاً وS) (S) تعداد مدهای جایگزیده در فرکانسهای متفاوت افزایش یافته است.. همچنین در این ساختار پیشنهادی شدت میدانهای جایگزیده در ساختار به شدت نسبت به تیو مورس مرتبه ۴ افزایش یافت. از این ویژگی در طراحی فیلترهای تمام توری استفاده میشود.

بلور فوتونیکی، ساختار تیو مورس، فیلتر تمام نوری، محدوده ی ممنوعه فرکانسی، ماتریس انتقال