Design and simulation of semiconductor laser with GaN & GaAS
- سال انتشار: 1395
- محل انتشار: دومین کنفرانس بین المللی یافته های نوین پژوهشی در مهندسی برق و علوم کامپیوتر
- کد COI اختصاصی: COMCONF02_169
- زبان مقاله: انگلیسی
- تعداد مشاهده: 743
نویسندگان
Department of Electrical Engineering , Behbahan Branch, Islamic Azad University, Behbahan, Iran
Department of Electrical Engineering , Behbahan Branch, Islamic Azad University, Behbahan, Iran
چکیده
In this paper, we focus on designing and simulation of a Gallium nitride (GaN) semiconductor laser with Indium gallium nitride (InGaN) and Aluminium gallium nitride (AlGaN). We've used Indium gallium nitride material and Aluminium gallium nitride in the sides with the mole fraction of x (AlxGa1-xN, InxGa1-xN). For simulation we have used the SILVACO software of ATLAS simulator environment. First, we review a structure similar to the laser and then to describe the materials used in the laser described above. The results show good performance laser. Went on to design another laser material will gallium arsenide.کلیدواژه ها
semiconductor laser, Gallium nitride, active region, power emittedمقالات مرتبط جدید
اطلاعات بیشتر در مورد COI
COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.
کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.