مقایسه میزان جذب نور در نقاط کوانتومی تک لایه و دو لایه

گرافن و ساختارهای نانوی آن امروزه مورد علاقه بسیاری از محققین می باشد. داشتن خواص نوری و الکترونیکی جالب و انعطاف پذیر آن باعث شده است تا در آینده کاربردهای زیادی از این ترکیب را شاهد باشیم. این ترکیبات در بسیاری از کاربردهای الکترونیکی و نوری نظیر لیزرها مورد استفاده قرار می گیرند. در این مقاله به بررسی ویژگی نوری شامل هدایت الکتریکی نوری و ضریب جذب فوتون در نقاط کوانتونی گرافنی می پردازیم. در اینجا با استفاده از رابطه کوبو و استخراج یک عبارت بسته جهت محاسبه سطوح انرژی، توانستیم هدایت نوری در نقاط کوانتومی گرافن را بدست بیاوریم. برای این منظور بصورت ابتدا بصورت ادامه به کمک چگالی حالت ها در نقاط کوانتومی که در اینجا با یک روش جدید محاسبه شده است، به محاسبه ضریب جذب فوتون درنقاط کوانتومی یک لایه، دولایه می پردازیم وابستگی ضریب جذب به شعاع نقاط کوانتومی و تعداد لایه ها و آرایش پشته ها در این ناتیج دیده میشود. می شود که با تغییرات در شعاع نقاط کوانتومی تک لایه و دو لایه میزان جذب در آنها تغیر می کند بطوریکه با کاهش شعاع این نقاط شاهد شیفت آبی در منحنی های جذب می باشیم. با توجه به اینکه در تحقیقات صورت گرفته عمدتاشعاع این نقاط ۴n In الی ۱۵nm گزارش شده است ما نیز محاسبات خود را در این رنج انجام داده ایم.

کلیدواژه ها:

نقاط کوانتومی گرافنی ، ضریب جذب ، گرافن ، گرافن دولایه و تک لایه