بررسی تکنیکهای کنترل ترانزیستور نگهدارنده در گیتهای دومینو عریض در فناوری مقیاس نانو

در این مقاله تکنیکهای مختلف مداری که برای کنترل ترانزیستور نگهدارنده در گیتهای دومینو عریض استفاده می شوند مورد بررسی و مقایسه قرار می گیرند. مدارهای مورد بررسی از لحاظ پارامترهای تاخیر، توان مصرفی، مصونیت در برابر نویز و سطح تراشه مصرفی با یکدیگر مقایسه می شوند. بدین منظور گیتهای دومینو عریض با استفاده از مدارهای مورد مطالعه پیاده سازی شدند تا مشخص شود کدامیک از طرحهای مداری کارایی بهتری دارد.گیتهای عریض با استفاده از نرم افزار HSPICE در تکنولوژی CMOS 16 نانومتر در تاخیر یکسان شبیه سازی شدند. نتایج شبیه سازیها برای گیتهای OR عریض نشان می دهند که تکنیک مداری دومینو سرعت بالا (HSD) نسبت به سایر مدارهای مورد بررسی بهترین عملکرد را دارد.

کلیدواژه ها:

جریان نشتی ، گیتهای عریض ، مصونیت در برابر نویز ، منطق دومینو