طراحی و شبیه سازی یک نوع SOI Mosfet جهت بهبود پارامتر DIBL
عنوان مقاله: طراحی و شبیه سازی یک نوع SOI Mosfet جهت بهبود پارامتر DIBL
شناسه ملی مقاله: NCAEE01_048
منتشر شده در نخستین همایش ملی دستاوردهای نوین در مهندسی برق در سال 1393
شناسه ملی مقاله: NCAEE01_048
منتشر شده در نخستین همایش ملی دستاوردهای نوین در مهندسی برق در سال 1393
مشخصات نویسندگان مقاله:
صمد قلندری - کارشناس ارشد، دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات کرمانشاه
آرش احمدی - استادیار، دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات کرمانشاه
خلاصه مقاله:
صمد قلندری - کارشناس ارشد، دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات کرمانشاه
آرش احمدی - استادیار، دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات کرمانشاه
در این مقاله یک ساختار جدید برای ترانزیستور FD SOI Mosfet به منظور بهبود پارامتر DIBL و همچنین بهبود اثر خودگرمایی ارائه شده است. ایده اصلی این ساختار تغییر در ضخامت لایه Box ترانزیستور که به منظور بهبود پارامتر DIBL واثر خودگرمایی می باشد
کلمات کلیدی: اثر خودگرمایی- FD SOI Mosfet – DIBL
صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://civilica.com/doc/525322/