طراحی ترانزیستور GaN HEMT با طول گیت 14 نانومتر

  • سال انتشار: 1394
  • محل انتشار: کنفرانس بین المللی یافته های نوین پژوهشی در علوم،مهندسی و فناوری با محوریت پژوھشھای نیاز محور
  • کد COI اختصاصی: ICMRS01_234
  • زبان مقاله: فارسی
  • تعداد مشاهده: 1479
دانلود فایل این مقاله

نویسندگان

محسن حق پناه

دانشجوی کارشناسی ارشد برق الکترونیک، دانشگاه صنعتی مالک اشتر

سیدغیاث الدین طباطبایی پور

دانشجوی کارشناسی ارشد برق الکترونیک، دانشگاه صنعتی مالک اشتر

علیرضا عرفانیان

دانشیار دانشکده برق و الکترونیک، دانشگاه صنعتی مالک اشتر

چکیده

در این مقاله ترانزیستور GaN HEMT با طول گیت 14 نانومتر شبیه سازی شده است. برای نانومتری کردن طول گیت به جای لایه سد متداول AlGaN از لایه سد InGaN که چگالی گاز الکترون دوبعدی بیشتری نسبت به AlGaN دارد، استفاده شده است. هم چنین این لایه از نظر ثابت شبکه با لایه GaN هم خوانی دارد و باعث حذف اثرات پیزوالکتریک و در نتیجه امکان نازک کردن لایه بدون افزایش تنش و استرس بین دولایه می شود. در این مقاله مشخصات AC ، DC و جریان نشتی گیت بررسی شده است. فرکانس قطع و ماکزیمم فرکانس نوسان به ترتیب برابر 450GHz و 1/09THz است. هر چند این ترانزیستور برای کاربردهای توان بالا بسیار مناسب است اما با توجه به اینکه ولتاژ آستانه این افزاره 5- ولت می باشد لذا این افزاره برای کاربردهای دیجیتال مناسب نیست و تنها در کاربردهای توان بالا می تواند مفید باشد. به منظور استفاده در حوزه دیجیتال باید به دنبال روش هایی برای کاهش ولتاژ آستانه و تبدیل این ترانزیستور از نرمال روشن به نرمال خاموش بود.

کلیدواژه ها

؛ GaN HEMT، لایه سد InGaN، چگالی گاز الکترونی دوبعدی، پلاریزاسیون

مقالات مرتبط جدید

اطلاعات بیشتر در مورد COI

COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.

کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.