روش دقیق برای مدلسازی و شبیه سازی فتوولتائیک آرایه با استفاده از نرم افزار MATLAB / SIMULINK
محل انتشار: کنفرانس بین المللی مهندسی برق
سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 433
فایل این مقاله در 18 صفحه با فرمت PDF و WORD قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICELE01_478
تاریخ نمایه سازی: 21 شهریور 1395
چکیده مقاله:
این مقاله یک روش مدل سازی و شبیه سازی را برای آرایه های فتوولتاییک در نرم افزار Matlab/Simulink ارئه می دهد. هدف اصلی در اینجا، پیدا کردن پارامترهای معادلات غیرخطی V-I، با تنظیم منحنی در سه نقطهء مدارباز، ماکزیمم توان و اتصال کوتاه می باشد. با داشتن این سه نقطه که توسط همه دیتاشیت های آرایه های تجاری ارایه می شوند ، مدلسازی انجام خواهد شد. این مدل سازی بهترین معادلات V-I را برای مدل فتوولتاییک تک-دیود (PV)، شامل اثر مقاومت های سری و موازی، می یابد و تضمین می کند که ماکزیمم توان مدل با ماکزیمم توان آرایه ی واقعی، مطابق باشد. با داشتن پارامترهای معادلات تنظیم شده V-I ، می توان یک مدل مداری PV را با یک شبیه ساز مداری با استفاده از بلوک های ساده ریاضی ساخت. مدل مداری ارایه شده، برای طراحان الکترونیک قدرتی که به یک روش مدل سازی ساده، سریع، دقیق، و آسان برای بکاربری در شبیه سازی سیستم های PV نیاز دارند، سودمند می باشد. در صفحات نخست، خواننده با ساختار PV آشنا می شود و پارامترهایی را که مربوط به مدل PV تک-دیود می باشند را خواهد شناخت . سپس روش مدل سازی معرفی شده و بصورت دقیق ارایه می شود. این مدل برای اطلاعات تجربی آرایه های PV تجاری، معتبر می باشد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
مسعود سروری
دانشگاه لرستان
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :