A Sub-Critical Barrier Thickness Normally-Off AlGaN/GaN MOS-HEMT Based-HfLaO Gate Oxide

سال انتشار: 1395
محل انتشار: کنفرانس بین المللی مهندسی برق
کد COI اختصاصی: ICELE01_448
زبان مقاله: انگلیسی
تعداد مشاهده: 994

نویسندگان

Faculty of Electrical and Computer Engineering, Hakim Sabzevari University, Sabzevar 9617976487, Iran

چکیده

The article presents the results of modelling and simulation of normally-off AlGaN/GaN MOS-HEMT transistors.The use of high-k dielectrics at thicknesses of 5, 10, and 20 nm and ultrathin sub-critical 3 nm Al0.25Ga0.75N barrier layer on the electrical characteristics of the transistor has been examined. The electrical performances of, threshold voltage, on- and off- currents and transconductance of the device were extracted from TCAD Silvaco-Atlas simulator tool.It was found that the maximum current of the device can reach 426 mA at Vgs = 5V with an off-state current of less than 3.26×10-16A, leads to an on/off current ratio of 1.3× 1015, at 5 nm insulator thick. The device shows a high transconductance of 130 mS/mm and threshold voltage of 1.36 V. It has been demonstrated that the use of HfLaO, instead of HfO2 and La2O3, as GOX (gate oxide) increases on-state current above 0.4 A and reduces the negative influence of the charge accumulated in the dielectric layer

کلیدواژه ها

HfLaO, MOS–HEMT, GaN, on ، off current ratio, 2DEG, transconductance

مقالات مرتبط جدید

اطلاعات بیشتر در مورد COI

COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.

کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.