ارزیابی کارآیی حافظه SRAM در فناوری مجتمع سازی سه بعدی

  • سال انتشار: 1395
  • محل انتشار: اولین کنفرانس بین المللی دستاوردهای نوین پژوهشی در مهندسی برق و کامپیوتر
  • کد COI اختصاصی: CBCONF01_0926
  • زبان مقاله: فارسی
  • تعداد مشاهده: 684
دانلود فایل این مقاله

نویسندگان

مرتضی محمدی

کارشناس ارشد الکترونیک، دانشگاه روزبهان، ساری

مرتضی قلی پور

عضو هیات علمی، دانشکده برق و کامپیوتر، دانشگاه صنعتی نوشیروانی بابل

چکیده

مجتمع سازی سه بعدی حافظه برای حفظ قانون مور ضروری می باشد. در مجتمع سازی سه بعدی، حافظه ها میتوانند بر روی پردازنده ها پشته سازی شوند. (Through-silicon via (TSV به عنوان راه حلی امیدوار کننده درساخت افزاره های پشته سه بعدی پدید آمده است که ارتباطات میان تراشه های پشته را به صورت عمودی برقرار می کند.در این مقاله یک حافظه 512 بیت SRAM شش ترانزیستوری سه بعدی با تکنولوژی 180 نانومتری و ولتاژ تغذیه 1.8ولت، با نرم افزار HSPICE طراحی و بررسی شده است. در این حافظه طبقات با استفاده از TSV باهم در ارتباطهستند. مصرف توان این 1.01SRAM میلی وات و زمان دسترسی خواندن و نوشتن به ترتیب 231 پیکوثانیه و 111پیکو ثانیه می باشد.

کلیدواژه ها

حافظه، مدار مجتمع سه بعدی، SRAM, TSV, 3D-IC

مقالات مرتبط جدید

اطلاعات بیشتر در مورد COI

COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.

کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.