هادی صمدی - دانشگاه آزاد اسلامی، واحد قزوین، دانشکده برق و مهندسی پزشکی، قزوین، ایران
علی شاه حسینی - دانشگاه آزاد اسلامی، واحد قزوین، دانشکده برق و مهندسی پزشکی، قزوین، ایران

در این مقاله ما، یک ساختار جدید گیت وارونگر پنجارزشی استاندارد (SPI(Standard pentary Inverter مبتنی برترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی پیشنهاد کرده ایم. این ساختار را خانواده شبه P می نامیم و آن را با خانواده شبهN مقایسه خواهیم کرد.خانواده شبه P از ترانزیستور نوع N به عنوان بار فعال بهره می برد. برای مقایسه، تاخیر انتشار،توان مصرفی و حاشیه نویز نمونه ی پیشنهادی را با استفاده از شبیه ساز HSPICE بدست آورده ایم، نتایج حاصل نشانمی دهند طرح خانواده شبه N تاخیر کمتری دارد و حال آنکه خانواده شبه P توان مصرفی کمتری را شامل می شود.ولیمقدار حاصلضرب تاخیر در توان (PDP) خانواده شبه P از خانواده شبه N کمتر خواهد بود.همچنین بررسی حاشیه نویزنشان میدهد خانواده شبه P حاشیه نویز ایمن تری دارد. به لحاظ تعداد ترانزیستور و مساحت هردو طرح برابرند.

منطق چند ارزشی، نانولوله کربنی، شبه CNTFET, PDP, N