شبیه سازی مصرف توان در رگولاتور افت ولتاژ کم 90 nmDropout در تکنولوژی

یک مدل طراحی رگولاتور، با استفاده از تکنیک بایاس دینامیکی مورد بررسی و شبیه سازی قرار می گیرد. مدار افزایش جریان بایاس دینامیکی شامل سه قسمت آشکارساز، تقویت کننده و مدار افزایش بایاس خواهد بود.رگولاتور فوق با استفاده از پروسه CMOS90nm ارائه می شود و نتایج به دست آمده با دیگر فناوری های موجود موردبررسی قرار میگیرد. کارکرد دیاگرام بدین صورت در نظر گرفته خواهد شد، به محض اینکه کوچک ترین تغییری در ولتاژ خروجی مشاهده گردد، این تغییرات از طریق گره های Vn وVp به مدار آشکار ساز منتقل خواهدشد. مدار آشکارساز این تغییرات را حس می کند و با توجه به نوع آشکارسازی، خروجی خودش را در وضعیت ولتاژ تغذیه یازمین نگه می دارد و آن را به ورودی مدار تقویت کننده منتقل خواهد کرد. مدار تقویت کننده، به صورت یک معکوس کننده عمل خواهد کردو خروجی آشکارساز را به صورت معکوس در خروجی خودش ظاهر می کند. خروجی مدارتقویت کننده، به ورودی مدار افزایش بایاس منتقل می شود، این مدار با افزایش جریان در یک لحظه کوتاه، باعث افزایش جریان رگولاتورشده و تغییرات ولتاژ خروجی رگولاتور را به حالت نرمال بر می گرداند. در رگولاتور مورد بحث، توان مصرفی را، با استفاده از روش جریان بایاس دینامیکی تا .5mW کاهش دادیم و تا اندازه ای، پاسخ گذرای خط و بار را بهبود بخشیدیم تکنیک افزایش جریان بایاس دینامیکی در طراحی LDO به طور موثر پاسخ انتقال خطی و بار را بهبود می بخشد و باعث می شود یک ولتاژ دقیق وموثر در خروجی رگولاتور، بوجود بیاید و در کاربردهای قابل حمل،که احتیاج به یک تغذیه دقیق و بدون نویزدارند، بسیار موثر خواهد بود.

کلیدواژه ها:

افت ولتاژ کم(LDO) ، رگولاتور ، بایاس دینامیکی ، آشکارساز سرعت