ورود
مقالات فارسیISIکنفرانسهاژورنالها

محاسبه ضریب جذب نوری و جریان الکتریکی در نانوسیم های ZnO

محل انتشار: سومین کنفرانس بین المللی علوم و مهندسی
سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,340

فایل این مقاله در 9 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:
https://civilica.com/doc/491588

شناسه ملی سند علمی:

ICESCON03_142

تاریخ نمایه سازی: 16 شهریور 1395

چکیده مقاله:

در این مقاله با استفاده از محاسبه ترازهای انرژی نانوسیم های ZnO ، ابتدا باند انرژی این ساختار را محاسبه کرده و سپس به محاسبه ضریب جذب نور می پردازیم.با در نظر گرفتن طول عمر حامل ها و ارائه مدل مناسب برای این موضوع به محاسبه جریان الکتریکی ناشی از جذب نور پرداختیم.ملاحظه می شود که پهنای باند انرژی برای این ساختار 3/3eV بوده و در ازایتابش 1000mW/cm2 میزان جریان نوری حدود 10 میلی آمپر بدست می اید.این پارامترها به طول نانوسیم ها و نیز قطر انها بستگی داشته که در این مقاله به این موضوع پرداخته شده است.

کلیدواژه ها:

نویسندگان

محدثه کاسه گر

دانشجوی کارشناسی ارشد برق الکترونیک دانشگاه علامه محدث نوری

سید صالح قریشی

عضو هیئت علمی الکترونیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد نور

شهریار تمندانی

عضو هیئت علمی الکترونیک دانشگاه علامه محدث نوری

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • M. Razeghi and A. Rogalski, _ Semiconductor ultraviolet detectors, " ...
  • M. H. Huang, S. Mao, H. Feick, H. Yan, Y. ...
  • S. Basu and A. Dutta, "Modified heterojunction based on zinc ...
  • Q. Wan, Q. H. Li, Y. J. Chen, T. H. ...
  • K. Liu, M. Sakurai, and M. Aono, "ZnO-based ultraviolet pho ...
  • H. Kind, H. Yan, B. Messer, M. Law, and P. ...
  • O. Lupan, V. M. Gu_erin, I. M. Tiginyanu, V. V. ...
  • O. Lupan and T. Pauport_e, "Hydrothermal treatment for the marked ...
  • M. E. Swanwick, S. M. Pfaendler, A. I. Akinwande, and ...
  • ZnOء 10C. Soci, A. Zhang, B. Xiang, S. A. Dayeh, ...
  • C.-H. Chen and C. T. Lee, "High detectivity mechanism of ...
  • X. W. Fu, Z. M. Liao, Y. B. Zhou, H. ...
  • nano wire/graphene vertical structure based fast-response ultraviolet photodetector, " Appl. ...
  • E. S. Ates, S. Kucukyildiz, and H. E. Unalan, "Zinc ...
  • H. X. Chang, Z. H. Sun, K. Y. Ho, X. ...
  • J. Yi, J. M. Lee, and W. I. Park, :Vertically ...
  • B. Nie, J. G. Hu, L. B. Luo, C. Xie, ...
  • T. Pauport_e, D. Lincot, B. Viana, and F. Pell_e, "Toward ...
  • H. E. Belghiti, T. Pauport_e, and D. Lincot, "Mechanistic study ...
  • O. Lupan, T. Pauport_e, and B. Viana, "Low voltage UV ...
  • rd. _ _ co NFERENCE oN _ _ ENGl NEERING ...
  • efficient UV -light-emitting diode fabrication, " ACS Appl. Mater. Interfaces ...
  • P. Mandin, T. Pauport_e, P. Fanouille re, and D. Lincot, ...
  • T. Pauport_e, E. Jouanno, F. Pell_e, B. Viana, and P. ...
  • A. V. Babichev, V. E. Gasumyants, and V. Y. Butko, ...
  • A. V. Babichev, _ Y. Butko, M. S. Sobolev, E. ...
  • H. Moormann, D. Kohl, and G. Heiland, _ function and ...
  • T. H. Han, Y. Lee, M. R. Choi, S. H. ...
  • J. Appl. Phys. 83, 5447 (1998). ...
  • F. Urbach, "The _ ong -wavelength edge of photographic sensitivity ...
  • R. C. Rai, "Analysis of the Urbach tails in absorption ...
  • R. H. Bube, Photo conductivity of Solids (Wiley, New York, ...
  • electrical characteristics of high -performance ZnO nanorod field-effect transistors, " ...
  • J. A. Garrido, E. Monroy, I. Izpura, and E. Munoz, ...
  • V. Dobrokhotov, D. N. McIlroy, M. G. Norton, A. Abuzir, ...
  • H. Chen, J. Wang, H. Yu, H. Yang, S. Xie, ...
  • Z. Fan, D. Wang, P. C. Chang, W. Y. Tseng, ...
  • T. J. Hsueh, C. L. Hsu, S. J. Chang, Y. ...
  • J. F. Muth, R. M. Kolbas, A. K. Sharma, S. ...
  • rd. _ _ co NFERENCE oN _ _ ENGl NEERING ...
  • V. Srikant and D R. Clarke, "On the optical band ...
    • نمایش کامل مراجع