پریسا تقی زاده - دانش آموخته کارشناسی ارشد الکترونیکدانشگاه آزاد اسلامی واحد فسا
مریم تقی زاده - دانش آموخته کارشناسی ارشد الکترونیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد فسا
سعید تقی زاده - دانش آموخته کارشناسی ارشد الکترونیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد فسا
عباس کمالی - عضو هیئت علمی گروه برق دانشگاه آزاد اسلامی واحد فسا

ساختار تقویت تقویت کنندهی کم نویز نوع خاصی از تقویت کنندههای الکترونیکی است که در سیستمهای مخابراتی برای تقویت سیگنالهای گرفته شده از آنتن به کار میرود و اغلب در فاصله ی کمی از آنتن قرار میگیرد تا افت سیگنال در خطوط به حداقل ممکن برسد. تقویتکنندهی کم نویز به عنوان اولین طبقه در مسیر گیرنده بیشترین سهم را در نویز گیرنده دارد و طراحی آن با توان مصرفی کم و بهرهی بالا میتواند راه گشای یک سیستم بسیار ارزان باشد که تمام اجزای آن روی یک تراشه قراربگیرد. در این مقاله برای طراحی مدار تقویتکنندهی کم نویز از فناوری CMOS μm 0/13 استفاده شده است. تقویت کنندهی کم نویز ارائه شده در این مقاله از ساختار خازن ضربدری به منظور رسیدن بهتوان مصرفی پایین استفاده میگردد. همچنین از یک طبقه کسکود و مدار گیت مشترک ساختار دیگری میباشد که بعد از ساختار خازن ضربدری استفاده شده است. با استفاده از ساختار کسکود میتوانیم به یک تطبیق مناسب در ورودی برسیم. دست یافتن به بهره بالا از دیگر ویژگیهای این مدار میباشد

تقویت کننده کم نویز ، عدد نویز ، بهره ، ساختار کسکود ، خازن ضربدری