حسین عبداله - دانشگاه سمنان
علی اصغر اروجی - دانشگاه سمنان

در این مقاله یک ترانزیستور نانو سیمی با طول کانال طویل به صورت سه بعدی شبیه سازی شده است. این شبیه سازی در دو مرحله ، محدوده بالستیک و درحضور اثرات متقابل الکترون – فونون برای تحلیل بهتر اثرات مکانیزم های پراکندگی الکترون – فونون در ترانزیستور های نانو سیمی انجام شده است. برای این شبیه سازی معادلات خود انرژی مکان فضایی با استفاده از تئوری دگردیسی و تقریب Born خودسازگار برای داخل شیارها و مکانیزم پراکندگی فونون داخل شیارها بدست آمده است. البته شایان ذکر است که در تابع گرین ناترازمند از تقریب های اثر جرم و hartree استفاده شده است. نتایج نشان می دهد که جریان درین، انتشار حالتهای چگالی محلی است و انرژی انتقالی از الکترونها در حضور اثرات الکترون – فونون نسبت به محدوده بالستیک کاهش می یابند.

انتقال کوانتومی ، اثرات پراکندگی الکترون - فونون ، تابع گرین ناترازمند ، ترانزیستور نانوسیمی