سید بهروز مهدوی ساداتی - دانشجوی کارشناسی ارشد دانشگاه آزاد اسلامی واحد مهریز
محمدجعفر تقی زاده مروست - عضو هیئت علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد مهریز
سید محمد صادق طباطبایی فر - عضو هیئت علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد مهریز

مصرف توان یکی از نگرانی های بالا مدارهای VLSI، که ماسفت تکنولوژی اولیه آن است. تمرکز امروزه در توان کم، نه تنها بخاطر خواسته های اخیر در حال رزشد از کاربردهای تلفن همراه است، حتی قبل از دوران تلفن همراه مصرف توان یک مشکل اساسی بوده است. تکنیک های مختلف ذخیره سازی توان باعث شده که در این مقاله از مدار پشته بجای مدار وارانگر در قسمت سوئیچینگ مبدل دیجیتال به آنالوگ نردبان R-2R، استفاده شود. سپس باسایزینگ ترانزیستورها در تکنولوژی 65 نانومتر نرم افزار Hspice شبیه سازی، و به بررسی مشخصه توان مبدل با ساختار جدید پرداخته شده است. استفاده از مدار پشته باعث شده، مقدار اتلاف توان در قسمت سوئیچینگ را بیش از 80 درصد کاهش دهد که این مقدار منجر به بهبود در مشخصه توان در مبدل دیجیتال به آنالوگ با ساختار جدید می گردد.

اتلاف توان، تکنولوژی 65 نانومتر سیماس، مبدل دیجیتال به آنالوگ، مدار پشته، نردبان R-2R، نرم افزار Hspice