A Novel Ultra-Low-Voltage CMOS RF-DC Converter for Long Range Passive RFID Applications
محل انتشار: شانزدهمین کنفرانس مهندسی برق ایران
سال انتشار: 1387
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 2,507
فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEE16_335
تاریخ نمایه سازی: 6 اسفند 1386
چکیده مقاله:
In this paper, an ultra-low-voltage RF-DC converter is proposed based on Cockcroft-Walton multiplier architecture and using a novel self-gate- boosting technique. The simulation results show that it produces the desired nearly-constant DC output from input RF amplitudes as low as 350 mV using conventional CMOS process without using low- threshold-voltage transistors. The converter has the lowest fabrication costs while the conversion efficiency is higher than existing converters in long distances as far as 6.7 m from the source of power emission.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
Mohammad Reza Ghaderi
University of Tehran
Omid Shoaei
University of Tehran
Sied Mehdei Fakhraie
University of Tehran
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :