سجاد محمدیان سیاهکلرودی - دانشجوی کارشناسی ارشد برق الکترونیک، دانشگاه آزاد اسلامی قزوین
علی شاه حسینی - استادیار دانشکده برق، دانشگاه آزاد اسلامی قزوین
رحیم فائز - دانشیار دانشکده برق، دانشگاه آزاد اسلامی قزوین

در این مقاله، ترانزیستور نانولوله کربنی با نواحی سورس و درین کم غلظت را با استفاده از روش توابع گرین غیر تعادلی در یک بعد شبیه سازی کرده ایم . ترانزیستور نانولوله کربنی که در نزدیکی اتصالات سورس و درین آن نواحی کم غلظت در نظر گرفته ایم، اصطلاحاً ترانزیستور LDDS-CNTFET نامیده می شود. در بخشی از این مقاله تاثیر تغییر قطر نانولوله را بر روی رفتار این نوع ترانزیستور مورد بررسی قرار داده ایم. با اعمال این تغییرات مشاهده می شود که با افزایش قطر نانولوله جریان حالت روشن افزایش یافته ولی نسبت جریان حالت روشن به حالت خاموش کاهش یافته و زمان تأخیر افزاره نیز کاهش می یابد. همچنین با تغییر یاد شده حساسیت جریان نشتی و تأخیر و حاصلضرب توان در تأخیر افزاره همگی نسبت به میزان غلظت سورس و درین کاهش می یابد.

توابع گرین غیر تعادلی( NEGF )، سورس و درین کم غلظت، نسبت جریان حالت روشن به حالت خاموش، زمان تأخیر، حاصل ضرب توان در تأخیر(PDP)