بررسی اثر میدان الکتریکی بر جوانه زنی گیاه فلفل

با توجه به اهمیت صرفه جویی در مصرف آب و انرژی در گلخانه ها و مراکز تولید نشاء گل، هرچه زمان جوانه زنی بذور سریعتر باشد به این مهم کمک فراوانی کرده و باعث افزایش بهره وری از انرژی آب، فضای گلخانه و زمین می شود، که برای تولید کنندگان توجیه اقتصادی را به دنبال دارد. در این پژوهش تأثیر میدان مغناطیسی بر جوانه زنی بذر فلفل تند بررسی شد. بذور گیاه در میدان مغناطیسی با شدت های 0.3768 میلی تسلا (60 دور سیم پیچ) و 0.5652 میلی تسلا( 90 دور سیم پیچ) به مدت 6 و 24 ساعت قرار گرفت و با شاهد مقایسه گردید. آنالیز طرح در قالب آزمون فاکتوریل برمبنای طرح کاملا تصادفی انجام شد. نتایج حاصل از این آزمایش نشان داد که تیمار های میدان مغناطیسی در مقایسه با شاهد تاثیری معنی داری برجوانه زنی بذر شاخص جوانه زنی رشد ریشه چه و رشد ساقه چه داشت. بیشترین درصد جوانه زنی در تیمار 24 ساعت 0.5652 میلی تسلا( 90 دور سیم پیچ) بیشترین شاخص جوانه زنی در تیمار 02 ساعت 0.5652 میلی تسلا( 90 دور سیم پیچ) بیشترین طول ریشه چه در تیمار 02 ساعت 0.3768 میلی تسلا ( 60 دور سیم پیچ و بیشترین طول ساقه چه در تیمار 24 ساعت0.3768 میلی تسلا(60 دور سیم پیچ مشاهده شد.

کلیدواژه ها:

میدان مغناطیسی ، شدت میدان مغناطیس میکروتسلا ، جوانه زنی ، ریشه چه و ساقه چه