تولید خاصیت مغناطیسی در نانوریبون آلومینیوم نیتراید با استفاده ازدوپینگ فلزات واسطه

سال انتشار: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 553

فایل این مقاله در 10 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

AREBS01_110

تاریخ نمایه سازی: 14 دی 1394

چکیده مقاله:

در این پژوهش، به بررسی روش ایجاد جریان اسپینی و خاصیت مغناطیسی در نانو ریبون نیترید آلومینیوم در چارچوب نظریه تابعی چگالی پرداختیم. نتایج محاسبه خواص الکترونی و مغناطیسی به شرح زیر است: الف- نانوریبون نیترید آلومینیوم خالص الکترون ولت است که هیچ گونه خاصیت مغناطیسی از خود نشان نمیدهد. ب- با یک نیمرسانا با گاف انرژی در حدود 2/65 وارد کردن اتمهای فلزات واسطه نظیر منگنز و کادمیوم درون ساختار نانوریبون، ساختار نواری به کلی درهم میریزد و الکترونهای با اسپین بالای اتم منگنز و الکترونهای با اسپین پایین اتم کادمیوم باعث افزایش حاملهای بار الکتریکی میشوند، لذا در ترکیب خواص شبه فلزی دیده میشود که این اثر با افزایش درصد اتم فلزی شرکت کننده در ترکیب نیز افزایش مییابد. مطالعه و بررسی طیف چگالی حالتهای الکترونی نیز نشان میدهد که حضور فلزات واسطه به عنوان ناخالصی باعث کانال دار شدن ترکیب و تبدیل آن به فلز شده است. ج- یک تک لایه نانو ریبون نیترید آلومینیوم در حالت خالص قطبش اسپینی برابر صفر دارد. در صورتی که دوپ کردن آن با فلزات واسطه، آن را کاملاً قطبیده میکند و قطبش اسپینی در سطح فرمی ترکیب دوپینگ شده، برای الکترونهای با اسپین بالا، کامل 100٪ است که همین مسأله کاربرد این ترکیب را در ابزارهای اسپینترونیک و اپتوالکترونیک افزایش میدهد.

کلیدواژه ها:

نانوریبون AlN نظریه تابعی چگالی ، اسپینترونیک ، خواص الکترونی ، خواص مغناطیسی ، قطبش اسپینی

نویسندگان

راضیه بیرانوند

عضو هیئت علمی گروه فیزیک، دانشکده فنی مهندسی و علوم پایه دانشگاه آیت ا.. العظمی بروجردی (ره)

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • Blaa, P., et al. 2001. _ _ _ _ _ ...
  • Cresti, A., et al. 2008. Charge transport in disordered graphene ...
  • Geim, A. K. and K. S. Novoselo. 2007. The rise ...
  • Morozov, S. V., et al. 2008. Giant Intrinsic Carrier Mobilities ...
  • Novoselov, K. S., et al. 2004. Electric Field Effect in ...
  • Novoselov, K. S., et al. 2007. Ro om-T emperature Quantum ...
  • Perdew, J. P., et al. 1996. Generalized Gradient Approximation Made ...
  • Perdew, J. P., et al. 1997. Generalized Gradient Approximation Made ...
  • Qi, Y.-Y., et al. 2011. First-principles study on the structural ...
  • Ruterana, P., et al. 2006. Nitride S emiconductos : Handbook ...
  • Zhang, X., et al. 2007. Synthesis and optical characterizati _ ...
  • Zhang, Y., et al. 2005. Experimental observation of the quantum ...
  • Wu, Q., et al. 2004. A simple route to aligned ...
  • نمایش کامل مراجع