بهبود مشخصه جریان ـ ولتاژ ترانزیستورGaN MOS-HEMT بالایه موثرفلزی
- سال انتشار: 1394
- محل انتشار: کنفرانس بین المللی یافته های نوین پژوهشی درمهندسی برق و علوم کامپیوتر
- کد COI اختصاصی: COMCONF01_557
- زبان مقاله: فارسی
- تعداد مشاهده: 471
نویسندگان
دانشکده فنی مهندسی دانشگاه رازی کرمانشاه
دانشکده فنی مهندسی دانشگاه رازی کرمانشاه
دانشکده فنی مهندسی دانشگاه رازی کرمانشاه
چکیده
دراین مقاله تاثیر برمشخصه ی جریان ـ ولتاژ دونوع عایق درساختارترانزیستور GaN MOS- hemt مورد بررسی قرارگرفته است نتایج نشان میدهد که اثر Si3N4 درنقطه داغ و چسبندگی بهتر ازSIO2 است اما عملکرد ترانزیستور را درمشخصه IDS/VDS کاهش میدهد استفاده ازیک لایه فلزی دربخش AlGaN دراین ترانزیستور علاوه بربهبود این مشخصه نقطه داغ را نیز میتوان کنترل کردکلیدواژه ها
ترانزیستورGaN-HEMT ، لایه موثرفلزی ، نقطه داغمقالات مرتبط جدید
- سیستم تشخیص نفوذ در محیط رایانش ابری با استفاده از یادگیری ویژ گی
- کاهش هزینه تعمیراتی ماشین های سنگین از طریق بهبود الگوریتم درخت تصمیم با الگوریتم های انتخاب ویژگی Information Gain ،Correlation و SVM
- پردازش کوانتومی تصاویر پزشکی و تشخیص لبه آن با استفاده از الگوریتم QHED
- بررسی و مقایسه روشهای تشخیص اکانت های جعلی در شبکه های اجتماعی
- مکان یابی و مقدار بهینه منابع تولید پراکنده به منظورکاهش تلفات و بهبود انحراف ولتاژ شبکه نامتعادل توزیع
اطلاعات بیشتر در مورد COI
COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.
کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.