CIVILICA We Respect the Science
(ناشر تخصصی کنفرانسهای کشور / شماره مجوز انتشارات از وزارت فرهنگ و ارشاد اسلامی: ۸۹۷۱)

اعمال میدان مغناطیسی یکنواخت بر روی جریان مغشوش در لولههای با انبساط ناگهانی

عنوان مقاله: اعمال میدان مغناطیسی یکنواخت بر روی جریان مغشوش در لولههای با انبساط ناگهانی
شناسه ملی مقاله: IRANLABCO01_084
منتشر شده در اولین همایش ملی تکنیک های نوین در تجهیزات و مواد آزمایشگاهی صنعت نفت ایران در سال 1394
مشخصات نویسندگان مقاله:

نازنین شفیعی سیف آبادی - دانشجو کارشناسی ارشد، دانشکده مهندسی مکانیک و هوافضا دانشگاه صنعتی شیراز؛
امیرحسین نیک سرشت - دانشیار، دانشکده مهندسی مکانیک و هوافضا دانشگاه صنعتی شیراز؛

خلاصه مقاله:
لولههای با انبساط ناگهانی در صنایع مختلفی از جمله مبدلهای حرارتی، فن دستگاههای الکترونیکی، سیستمهای هدایت هوا، راکتورهای هستهای و خطوط لوله انتقال سیال مورداستفاده قرار میگیرند. در این لولهها الگوی جریان پس از ناحیه منبسط شده تغییر میکند و گردابه-هایی شکل میگیرند که بر روی انتقال حرارت، خوردگی، نرخ فرسایش، فشار و ... تأثیرگذار است. در این تحقیق راهکاری برای کاهش طولگردابه ارائه شده است. برای کاهش طول گردابه، میدان مغناطیسی یکنواخت در راستای عمود بر جریان هادی الکتریسیته پسس از ناحیسه منبسط شده اعمال شده است. جهت صحت سنجی، ابتدا میدان مغناطیسی یکنواخت بر روی جریان درون لوله و سپس جریان درون یک لولهبا انبساط ناگهانی بدون وجود میدان مدلسازی شده است و مشاهده میگردد که نتایج تطابق قابل قبولی با کارهای انجام شده دارند. در اینجایک لوله با انبساط ناگهانی به صورت متقارن محوری شبیه سازی شده است و میدان مغناطیسی یکنواخت در راستای عمود بر جریان، پس از ناحیه منبسط شده اعمال شده است. محدوده نسبت انبساط 2 تا 6 و عدد هارتمن بین 11 تا 211 در نظر گرفته شده است. نتسایج نشسان میدهد که با افزایش عدد هارتمن، طول ناحیه چرخشی کوچک میشود و پروفیل سرعت تختتر و سرعت جریان کاهش مییابد

کلمات کلیدی:
لوله با انبساط ناگهانی، میدان مغناطیسی یکنواخت، جریان مغشوش، گردابه

صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://civilica.com/doc/404046/