مدلسازی خطای تک الکترونی در گیت اکثریت اتوماتای سلولی کوانتومی
- سال انتشار: 1394
- محل انتشار: دومین همایش پژوهش های نوین در علوم و فناوری
- کد COI اختصاصی: EMAA02_198
- زبان مقاله: فارسی
- تعداد مشاهده: 804
نویسندگان
گروه الکترونیک، واحد شهر قدس، دانشگاه آزاد اسلامی شهر قدس، ایران
دانشکده الکترونیک، دانشگاه صنعتی مالک اشتر، تهران، ایران
چکیده
در هر فناوری، بروز نقصهایی حین ساخت، از جمله موارد گریز ناپذیر در ساخت مدارهای الکترونیکی است. به دلیل ماهیت نقصپذیر فناوری نانو، توجه ویژه به این مساله در مرحله طراحی مدارها ضروری است. فناوری اتوماتای سلولیکوانتومی نیز مانند سایر فناوریهای نانو الکترونیک، به شدت در معرض نقصهای اجتناب ناپذیر حین ساخت قرار دارد گزارش شده است. با توجه به CMOS و احتمال بروز نقص در این فناوری در حدود صد هزار برابر فناوری ساخت درپیشبینی نرخ خرابی بالا در مرحله ساخت این فناوری، انتظار بر این است که در مرحله طراحی، با مدلسازی نقصهای اجتناب ناپذیر حین ساخت، راهکارهایی جهت کاهش تاثیر آن نقصها بر عملکرد مدار ارائه شود. در این مقاله مدلسازی خطای تک الکترونی در گیت اکثریت اتوماتای سلولی کوانتومی ارائه میگرددکلیدواژه ها
مدلسازی خطا، اتوماتای سلولی کوانتومی، گیت اکثریتاطلاعات بیشتر در مورد COI
COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.
کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.