بررسی کاهش گاف انرژی در نیمه هادیTiO 2 بوسیله ی دوپ کردن فلزات واسطه به منظور افزایش بازده آن در جذب مرئی انرژی خورشید برای فعالیت های فتوکاتالیستی به روش محاسبات کوانتومی
عنوان مقاله: بررسی کاهش گاف انرژی در نیمه هادیTiO 2 بوسیله ی دوپ کردن فلزات واسطه به منظور افزایش بازده آن در جذب مرئی انرژی خورشید برای فعالیت های فتوکاتالیستی به روش محاسبات کوانتومی
شناسه ملی مقاله: ACWEC01_078
منتشر شده در اولین کنگره سالیانه جهان و بحران انرژی در سال 1394
شناسه ملی مقاله: ACWEC01_078
منتشر شده در اولین کنگره سالیانه جهان و بحران انرژی در سال 1394
مشخصات نویسندگان مقاله:
رویا جعفری - دانشگاه علم و صنعت، تهران
الناز عیسی پور - دانشگاه علم و صنعت، تهران
خلاصه مقاله:
رویا جعفری - دانشگاه علم و صنعت، تهران
الناز عیسی پور - دانشگاه علم و صنعت، تهران
نیمه هادی TiO2باگاف انرژی زیاد 3.23 فقط قادر به جذب امواج پرانرژی فرابنفش خورشید برای تولید انرژی است همین مسئله باعث بازده پایین این نیمه هادی درتولید انرژی میشود دراین پژوهش فلزات عناصرروی نیمه هادی TiO2 دوپ شدند گاف انرژی TiO2 خالص و دوپ شده به روش محاسبات کوانتومی DFT محاسبه شد عناصردوره ی پنجم جدول تناوبی یک دوره پایین تر ازعنصرTi گاف انرژی را مقدارکمتری کاهش دادند عناصر هم دوره ی Ti کاهش بیشتری درگاف انرژی داشتند بهترین عنصرv بوده که بهصورت چشمگیری ازEV 3.23 به ev2.84 گاف انرژی راکاهش داد این پژوهش نشان داد که Tio2 که باعنصرv دوپ شده میتواند نورمرئی خورشید را جذب کند و بازده تولید انرژی رابالا ببرد
کلمات کلیدی: محاسبات کوانتومی dft ، گاف انرژی ، دوپ کردن ، Tio2
صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://civilica.com/doc/402848/