بررسی حرارتی و جریان نانوسیال در حضور میدان مغناطیسی با روش گالرکین
سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 625
فایل این مقاله در 9 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
TAES01_118
تاریخ نمایه سازی: 1 آذر 1394
چکیده مقاله:
در این مقاله انتقال حرارت و جریان غیرپایا در حضور میدان مغناطیسی بین دو صفحه متحرک بررسی می شود. تأثیر اثرات ترموفرسیس و همچنین حرکات براونی در مدل جریان نانوسیال لحاظ شده است. سه معادله حاکم به کمک روش تحلیلی گالرکین حل می شود. مقایسه بین این روش با کارهای گذشته دقت حل این روش را تأیید می کند. شبیه سازی نیمه تحلیلی پارامترهای مؤثری را به وجود می آورد که عبارتند از: عدد اسکوز، عدد اکرت و عدد هارتمن، نتایج نشان می دهند که با افزایش عدد هارتمن و عدد اسکوز ضریب اصطکاک پوسته ای سیال افزایش می یابد. همچنین با افزایش عدد هارتمن و عدد اکرت مقدار عدد ناسلت کاهش می یابد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
نیما هدایتی
ساختمان مهیدسی مکانیک دانشگاه صنعتی نوشیروانی بابل ,ایران
عباس رامیار
ساختمان مهیدسی مکانیک دانشگاه صنعتی نوشیروانی بابل ,ایران
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :