بهناز موثق - دانشجوی کارشناسی ارشد مهندسی نانو الکترونیک دانشگاه تبریز

در این مقاله معرفی و مقایسه جدیدترین ساختارهای ترانزیستورهای اثر میدانی که توانائی بالائی در بهره برداری از ویژگی های منحصر به فرد گرافن دارند/ انجام شده است انالیزها در این مقاله بر اساس شبیه سازی میباشد که در مقیاس نانو معادله NANOTCAD ساختار با استفاده از شبیه سازی پایسون شرودینگر را با استفاده از تابع سبز غیر یکنواخت حل می کند و همچنین یک ترانزیستور اثر میدان کاملا دو بعدی با سدهای مختلف در ناحیه کانال با در نظر گرفتن تمام فاکتورهای موثر ازجمله برخوردها ظرفیت های خازنی پارازیت و پارامتر جهش و... شبیه سازی شده و نسبت جریان روشن به خاموش بزرگتر از 104 دست یافته شده است همچنین برتری این ساختار نسبت به ترانزیستورهای عمودی با کانال گرافنی و ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله کربنی بررسی شده است.

گرافن هگزا گونال برون نیترید هگزا گونال برون کربن نیترید ترانزیستور عمودی ترانزیستور دو بعدی