بررسی و شبیه سازی کاربرد مداری ممریستور
سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,516
فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
RSTCONF01_582
تاریخ نمایه سازی: 30 آبان 1394
چکیده مقاله:
ممریستور یک عنصر دو پایه است که مشخصه آن به صورت رابطهای بین بار الکتریکی و شار مغناطیسی بیان میشود. تاکنون این عنصر بدلیل کاربردهای بالقوه بسیار جالب، در طراحی مدارها و مزیتهای قابل توجه، مطالعه شده و با استفاده از فیلمهای نازک ساخته شده است. کاربرد ممریستور میسر نمیشود مگر با داشتن مدل مداری مناسب و ابزاری برای شبیه سازی آن. در این مقاله با استفاده از نرم افزار SPICE مدلی دقیق و قابل اطمینان از ممریستور بررسی و سپس یک سلول حافظه غیر فرار با استفاده از ممریستور طراحی شده است. شبیه سازی نشان میدهد که سلول حافظه پیشنهادی به خوبی یک بیت داده را حفظ میکند.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
سپیده سلطان مرادی
دانشجو، کارشناسی ارشد برق الکترونیک و دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات خراسان شمالی
سیدابراهیم حسینی
دانشیار، دکتری الکترونیک_نیمه هادی،گروه برق، دانشکده فنی مهندسی و دانشگاه فردوسی
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :