Accurate Modeling of the Polysilicon-Insulator-Well (PIW) Capacitor in CMOS Technologies

سال انتشار: 1393
محل انتشار: دومین همایش ملی پژوهش های کاربردی در برق، مکانیک و مکاترونیک
کد COI اختصاصی: ELEMECHCONF02_330
زبان مقاله: انگلیسی
تعداد مشاهده: 750

نویسندگان

Department of Biomedical Engineering, Hamedan University of Technology, Hamedan, ۶۵۱۵۵, Iran

چکیده

A practical method enabling rapid development of an accurate device model for the PIW MOS capacitor is introduced. The simultaneous improvement in accuracy and development time can be achieved without having to perform extensive measurements on specialized test structures by taking advantage of the MOS transistor model parameters routinely extracted in support of analog circuit design activities. This method affords accurate modeling of the voltage coefficient of capacitance over the entire range of operating voltages. Furthermore, a compact subcircuit representation is proposed, which takes the distributed parasitic series resistance associated with the PIW capacitor into account, thereby allowing modeling of the limitations imposed on high-frequency performance as well as the quality factor. The validity of the proposed method is verified based on capacitance versus voltage measurements performed using a test vehicle fabricated in a submicron CMOS technology

کلیدواژه ها

Polysilicon-insulator-well MOS capacitor model, CMOS

مقالات مرتبط جدید

اطلاعات بیشتر در مورد COI

COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.

کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.