فرشته رستمی - کارشناسی ارشد برق-الکترونیک، دانشکده فنی مهندسی، دانشگاه آزاد اسلامی واحد نور
رضا یوسفی - دکتری برق-الکترونیک، دانشکده فنی مهندسی، دانشگاه آزاد اسلامی واحد نور

تاکنون انواع مختلفی از ترانزیستورهای اثر میدانی مبتنی بر نانولوله های کربنی معرفی شده اند که ترانزیستور اثر میدانی تونلی یکی از آن ها است. مزیت اصلی ترانزیستورهای اثر میدانی تونلی، شیب زیرآستانه مناسبی است که از خود نشان می دهند. اما جریان روشنائی کم، یکی از مشکلات کلیدی این نوع ترانزیستورها است. تاکنون روش های مختلفی برای بهبود مشخصات کیفی این ترانزیستور انجام شده است. در یکی از این روش ها که برای ترانزیستور سیلیکونی تونلی پیشنهاد شده، از یک لایه نازک n بین منطقه ذاتی کانال و ناحیه سورس استفاده شده است. در این مقاله، اثر استفاده از اضافه نمودن این لایه بر روی مشخصات ترانزیستورهای تونلی مبتنی بر نانولوله های کربنی مورد بررسی قرار می گیرد. نتایج حاصل از شبیه سازی ها، اثر قابل ملاحظه این ناحیه بر مشخصات روشنائی، خاموشی و کلیدزنی افزاره مورد بررسی را نشان می دهد.

نانولوله کربنی، ترانزیستورهای تونلی، جریان خاموشی