بستگی اثرات خودگرمایی به زاویه دیواره گیت با سطح افقی در افزاره های AlGaN/GaN HEMT با گیت V- شکل
محل انتشار: ششمین کنفرانس مهندسی برق و الکترونیک ایران
سال انتشار: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 430
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEEE06_324
تاریخ نمایه سازی: 1 مهر 1394
چکیده مقاله:
در این مقاله تأثیر خود گرمایی بر مشخصه جریان- ولتاژ افزار، AlGaN/GaN HEM با گیت V- شکل مورد بررسی قرار گرفته است. نتایج این بررسی نشان می دهند، خودگرمایی افزاره به شدت تحت تأثیر میدان الکتریکی در ساختار افزاره می باشد. اغلب به منظور کاهش اثرات خودگرمایی در افزاره از تغییرات زاویه ی دیواره گیت استفاده می شود. در افزار AlGaN/GaN HEM چگونگی تأثیر استفاده از این تغییرات بر رفتار گرمایی مورد بررسی قرار گرفته است. با توجه به نتایج شبیه سازی مشخص شده است که انتشار گرما در مکان هایی که میدان الکتریکی کاهش یافته است کمتر می باشد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
زینب کرد
دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران جنوب
مرتضی فتحی پور
آزمایشگاه شبیه سازی و مدل سازی افزاره، دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، تهران
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :