مدلسازی پتانسیل وجریان زیرآستانه ای ماسفت دو گیتی در حضور حاملهای بارمتحرک

سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 526

فایل این مقاله در 15 صفحه با فرمت PDF و WORD قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

NSOECE01_036

تاریخ نمایه سازی: 1 مهر 1394

چکیده مقاله:

با در نظر گرفتن اثرات حاملهای متحرک بر اساس تابع توزیع ماکسول- بولتزمن و معادله پواسون یک بعدی، معادله دیفرانسیلی برای توزیع بار الکتریکی درون کانال ترانزیستور ماسفت دوگیتی به دست می آید. از حل این معادله، رابطه ای تحلیلی برای پتانسیل یک بعدی کانال در امتداد مسیر عمود بر کانال به دست می آید. سپس با استفاده از روش تحلیل مد ناپایدار به همراه تقریب سهمی، پتانسیل کانال ترانزیستور در دو بعد محاسبه می شود. بر اساس این روش پتانسیل با مجموع دو مولفه یک بعدی و دو بعدی بیان می شود. مولفه یک بعدی همان مولفه محاسبه شده در جهت عمود بر کانال با در نظر گرفتن حاملهای متحرک است. مولفه دو بعدی از حل معادله لاپلاس دو بعدی به دست می آید و اثرات میدان افقی را در کانال در نظر می گیرد. از آنجا که اثر حاملهای متحرک در معادله پواسون وارد شده است، رابطه پتانسیل به دست آمده برای همه شرایط کاری ترانزیستور صادق است و به پتانسیل نواحی خاص مانند سطح و مرکز وابسته نمی باشد. همچنین رابطه ای تحلیلی برای جریان زیر آستانه ای این ترانزیستور به دست آمده است این رابطه براساس تقریب بولتزمن به دست آمده است و به پتانسیل شبه فرمی وابسته نمی باشد

نویسندگان

لیلا باقری

کارشناسی ارشد مهندسی برق الکترونیک، دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات یزد - دانشکده مهندسی-گروه برق- یزد- ایران

سیدامیر هاشمی

استادیار، دانشگاه شهرکرد-گروه مهندسی برق- شهرکرد-ایران

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • Coling J. P., (2004) .Multiple-gate SOI MOSFETs, Solid State Electron, ...
  • Lime F., Santana E and Iniguez, B, (2013). A simple ...
  • Kumari V., Saxena M., Gupta .R.S and Gupta M.(2014). Analytical ...
  • T sormpatzoglou A., Pappas I., Tassis .D.H, Dimitriadis. C.A and ...
  • Woo J.H., Choi J.M. and Cho Y.K.(2013). Analytical threshold voltage ...
  • Gnudi A., Reggiani S., Gnani E and Baccarani, G. (2013). ...
  • Chiang T.K(2012). A quasi- two -dimensional threshold voltage model for ...
  • Tanaka K.T., Tosaka Y. H., Horie and Arimot Y.o.(1993).Scaling theory ...
  • Chiang .T.K.(2005).A new scaling theory fo r fully-depleted SOI double-gate ...
  • Shankar R., Kaushal G., Maheshwaram S., Dasgupta S and Manhas ...
  • Chiang T.K.(2009). A new two -dimensional subthreshold behavior model for ...
  • Kumari V., Saxena M., Gupta R.S., and Gupta M.(20 14).Analytical ...
  • RADDU M. BARSAN, (1 982), Subthreshold Current ofDual-Gate MOSFET's, IEEE ...
  • Dnyanesh S. Havaldar, Guruprasad Katti, Nandita DasGupta, and Amitava DasGupta, ...
  • Dey A, Chakravorty A, DasGupta N, DasGupta A.(2008). Analytical model ...
  • Li Jin, Liu Hong-Xia, Li Bin, Cao Lei, and Yuan ...
  • He J.et al.(2007). A Carrier-Based Approach for Compact Modeling of ...
  • Mohammadi S., Afzali-Kusha A., Mohammadi S.(2011). Compact modeling _ short-channet ...
  • Abd El Hamid H., Guitart . J.R and Inguez B.(2007) ...
  • ATLAS users manual, Silvaco. Inc., Santa Clara, CA, USA, 2005. ...
  • نمایش کامل مراجع