Nucleation and Growth of Graphene on Polycrystalline Cu by Low Pressure Chemical Vapor Deposition
- سال انتشار: 1393
- محل انتشار: دومین همایش ملی پژوهش های کاربردی در ریاضی و فیزیک
- کد COI اختصاصی: MATHPHY02_153
- زبان مقاله: انگلیسی
- تعداد مشاهده: 889
نویسندگان
Plasma Physics Research Center Islamic Azad University Science and Research Branch
Plasma Physics Research Center Islamic Azad University Science and Research Branch
Plasma Physics Research Center Islamic Azad University Science and Research Branch
چکیده
This paper investigates the effects of growth time on the quality of graphene synthesized by low pressure chemical vapor deposition (LPCVD). Large-area single Layered Graphene is synthesized on polycrystalline Cu foil (~1cm2) by LPCVD. The synthesized graphene was characterized using Raman spectroscopy and scanning electron microscopy (SEM).The Raman spectrum showed a IG/I2D ~ 0.2 ratio which indicates that all samples are single-layer graphene and the SEM images demonstrate that the domain size increases when the growth time increases. The growth mechanism of LPCVD graphene on Cu and the mechanisms governing the Raman scattering process in the films are also discussed. The results provide important guidance toward the synthesis of high quality uniform graphene films.کلیدواژه ها
Graphene, low pressure chemical vapor deposition , Raman Spectrum , Scanningاطلاعات بیشتر در مورد COI
COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.
کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.