طراحی مرجع باندگپ سیلیکونی با اصلاح انحنا مرتبه دوم

در این مقاله، در تکنولوژی 0.18 میکرومتر با استفاده از روش مفهوم اصل ولتاژ باندگپ معکوس و جریان زیر آستانه ماسفت ها ، مداری طراحی شده است که قادر به جبران دمایی مرتبه دوم می باشد ، با استفاده از نرم افزار HSPICE و شبیه سازی مدار پیشنهادی، نواحی عملکرد مناسب ترانزیستورها تعیین شد. بر اساس این طرح ضریب دمایی 1.4673 و نسبت عدم پذیرش منبع تغذیه 66.9db- در محدوده دمایی 0 تا 120 درجه سانتیگراد بدست آمده است.

کلیدواژه ها:

مرجع باندگپ سیلیکونی ، اصلاح انحنا ، مفهوم اصل ولتاژ باندگپ معکوس ، جریان زیر آستانه