تعیین ضخامت و شکاف انرژی لایه نازک ITO
محل انتشار: دومین همایش ملی مهندسی مواد
سال انتشار: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 584
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NCOMAE02_033
تاریخ نمایه سازی: 16 خرداد 1394
چکیده مقاله:
در این تحقیق، لایه نازک اکسید ایندیوم قلع (ITO) به روش تبخیر با پرتو الکترونی بر زیرلایه شیشه تهیه شده است. با استفاده از طیف عبور UV-VIS-NIR در بازه طول موجی 200 الی 1000 نانومتر، ضخامت لایه بر مبنای ماکزیمم ها و مینیمم های نمودارطیف عبور محاسبه شده است. سپس شکاف انرژی ((E(g) لایه بر مبنای ضریب جذب محاسبه شد که 3/94 الکترون ولت به دست آمد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
داود رئوفی
گروه فیزیک، دانشکده علوم،دانشگاه بوعلی سینا ، همدان
عاطفه طاهرنیا
گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه بوعلی سینا، همدان- باشگاه پژوهشگران جوان و نخبگان، واحد ملایر، دانشگاه آزاد اسلامی ملایر، ایران
لیلا افتخاری
گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه بوعلی سینا، همدان