Multi P-Regions in Trench Oxide LDMOS Transistor: A New Structure for Improving Breakdown Voltage
سال انتشار: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 833
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
DCEAEM01_075
تاریخ نمایه سازی: 18 دی 1393
چکیده مقاله:
A novel structure of LDMOS transistor is proposed in this paper. In Multi P-regions Trench Oxide LDMOS (MPT-LDMOS), a trench oxide is considered in the drift region in which three p-regions areincorporating under the trench oxide. The balanced charges between P-regions and N-drift P-regonshelps the depletion regions extend that causes uniform electric field. So, the breakdown voltage increases in this new structure in comparison to the conventional LDMOS structure (C-LDMOS). Also, the simulation with ATLAS simulator shows that by optimum values of p-region length and doping density, causes the specific on-resistence decrease. Therefore, high performance of the MPTLDMOS extends LDMOS application between other power devices.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
Mahsa Mehrad
School of Engineering, Damghan University, Damghan, Iran
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :