ایجاد پنجره های سیلیسیمی در لایه ی اکسید مدفون ترانزیستور اثر میدان نفوذی افقی:ارائه ی ساختار نوین برای ولتاژ شکست
- سال انتشار: 1393
- محل انتشار: اولین کنفرانس سراسری توسعه محوری مهندسی عمران، معماری،برق و مکانیک ایران
- کد COI اختصاصی: DCEAEM01_074
- زبان مقاله: فارسی
- تعداد مشاهده: 756
نویسندگان
عضو هیات علمی گروه مهندسی برق الکتروتیک دانشکده فنی و مهندسی دانشگاه دامغان
کارشناسی ارشد مهندسی برق دانشگاه آزاد اسلامی واحد دامغان
چکیده
این مقاله به ارائه و بررسی یک ساختار نوین از ترانزیستورهای اثر میدان نفوذی افقیLDMOSمیپردازد. در این ساختار جدید به منظور افزایش ولتاژ شکست پنجرههایی از جنس نیمههادی سیلیسیمی نوعp+ در فصل مشترک بین لا یه ی اکسید مدفون و ناحیه رانشی گنجانده شدهاست. این ساختار جدید، ترانزیستورPW-LDMOSنام دارد و نتایج شبیهسازی آن با نرم افزار شبیه ساز دوبعدی ATLASبا ساختار متداول ترانزیستورهایLDMOSمقایسه شده است. نتایج شبیهسازی نشان میدهد که وجود پنجره های سیلیسیمی نوعp+ میدان الکتریکی یکنواختتری را ایجاد میکند. همچنین با توجه به هدایت گرمایی بهتر سیلیسیم نسبت به اکسید سیلیسیم، اثرخودگرمایی بهبود مییابدکلیدواژه ها
ترانزیستور نفوذی افقی، ولتاژ شکست، اثر خودگرمایی، میدان الکتریکیمقالات مرتبط جدید
اطلاعات بیشتر در مورد COI
COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.
کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.