منا احکان - کارشناسی ارشد،فیزیک،دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکز
محمود قرآن نویس - استاد،فیزیک،مرکز تحقیقات فیزیک پلاسما دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات

در این تحقیق لایه های نازک تیتانیوم اکسی نیترید به روش رسوب بخار شیمیایی با فیلامان داغ (HFCVD) روی زیر لایه سیلیکون (400) p لایه گذاری شدند.نمونه ها در شرایط دمایی مختلف (T=400°c,T=500°c,T=700°c,T=800°c) قرار داده شدند. از آنالیز Four Point Probe، XRD و SDE برای تعیین ساختار بلوری، خواص الکتریکی و میزان دوپ عنصر نیتروژن واکسیژن استفاده شد.آنالیز XRD نشان دهنده فاز مکعبی با جهت ترجیحی (200) و (220) ومونو کلینیک با جهت (112-) با افزایش دمای زیر لایه می باشد. با افزایش دما مقاومت الکتریکی لایه های تیتانیوم اکسی نیترید با استفاده از آنالیز Four Point Probe از Ω/□ 25/32 به Ω/□ 0/0126 و بر طبق آنالیز SDE میزان دوپ عنصر نیتروژن از 5/8% به 3/42% و اکسیژن از 64/06 به 59/3 کاهش یافت.

افزایش دما،تیتانیوم اکسی نیترید،دوپ، HFCVD