احیا وریستورهای اکسید روی توسط عملیات غوطه وری در محلول نانو نیترات بیسموت

افت مشخصات ولتاژ-جریانی وریستور به عنوان یک مسئله جدی در برقگیرها مطرح می گردد. قرارگیری وریستور در میدان الکتریکی برای مدت زمان طولانی، منجر به افزایش جریان نشتی و افزایش توان اتلافی در وریستور شده که در نتیجه باعث تخریب وریستور می شود. افزایش جریان نشتی و پیرشدگی وریستور مربوط به نقص ساختاری و توزیع ناحیه بین دانه ای می باشد. پدیده احیایوریستور منجر به بازگشت مشخصه وریستور به حالت اولیه شده و درنتیجه وریستور پیر شده بازسازی می گردد. عملیات غوطه وری وریستور تخریب شده، در محلول نانو نیترات بیسموت تحت عملیات حرارتی خاص، منجر به بازسازی وریستور میشود. در این روش وریستور زینتر شده در محلولی از نانو نیترات بیسموت تحت منحنی دمایی خاص به مدت 12 ساعت غوطه ور می شود. نتایج نشان می دهند که این پردازش موجب بهبود مشخصه غیرخطی وریستور می گردد. همچنین همه نمونه ها پایداری ضریب غیرخطی و کاهش جریان نشتی را نشان می دهند. غلظت بهینه این محلول بین 2.5 تا 3.2 درصد مولی می باشد. در این مقاله ریز ساختار و خواص الکتریکی وریستور غوطه ور شده بررسی شده است. این پردازش نشان می دهد که اکسید بیسموت نانو شده از سطح به داخل وریستور نفوذ می کند که تلفات بیسموت را جبران خواهد کرد. درنتیجه پس از انجام عملیات حرارتی خاص، فاز بیسموت تشکیل شده و لایه بین دانه ای بازسازی می گردد و مرزهای دانه با فاز گامای اکسید بیسموت پر می شوند.

کلیدواژه ها:

وریستور اکسید روی ، نانو نیترات بیسموت ، مشخصه الکتریکی ، ریزساختار وریستوری