مهران شهریاری - گروه فیزیک، دانشکده علوم ، دانشگاه آزاد اسلامی واحد کرج، کرج، ایران
شهریار ننه کرانی - گروه فیزیک، دانشکده علوم ، دانشگاه آزاد اسلامی واحد کرج، کرج، ایران

در این پژوهش، دیود شاتکیتیتانیم/ سیلیکون را با انباشتیک لایه نازک تیتانیم با ضخامت 420 نانومتر بر روی زیرلایه سیلیکون نوع - p و یک لایه آلومینیم با ضخامت 180 نانومتر پشت زیر لایه به روش کندوپاش مغناطیسی جریان مستقیم (DC) ساخت شده است. پارامترهای اصل یدیو شامل: فاکتور ایده آل (m)، مقاومت متوالی (Rs) و سد پتانسیل (Φb) با استفاده از دو روش آنالیز جریان - ولتاژ و توابع چونگ محاسبه شدند. مقادیر فاکتور ایده آل و سد پتانسیل از آنالیز جریان ولتاژ به ترتیب برابر 2/07 و 0/89 ev ، و با استفاده از توابع چونگ به ترتیب برابر 2/88 و 0/86 ev به دست آمد. همچنین مقدار مقاومت متوالی به طور میانگین از توابع چونگ برابر 31kΩ حاصل شد. مقایسه مقادیر به دست آمده از توابع چونگ و نمودار حاصل از آنالیز جریان - ولتاژ نشان می دهد که دیود شاتکی تشکیل شده است.

دیود شاتکی، مقاومت متوالی، فاکتور ایده آل، سد پتانسیل