رشد دما پایین نانو بلورهای سیلیکان و ژرمانیم به کمک پلاسمای RF هیدروژن برای ساخت ترانزیستورهای لایه نازک
- سال انتشار: 1384
- محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران ۱۳۸۴
- کد COI اختصاصی: IPC84_094
- زبان مقاله: فارسی
- تعداد مشاهده: 1715
نویسندگان
آزمایشگاه تحقیقاتی لایه نازک، گروه مهندسی برق و کامپیوتر، دانشکده ف
آزمایشگاه تحقیقاتی لایه نازک، گروه مهندسی برق و کامپیوتر، دانشکده ف
آزمایشگاه تحقیقاتی لایه نازک، گروه مهندسی برق و کامپیوتر، دانشکده ف
آزمایشگاه تحقیقاتی لایه نازک، گروه مهندسی برق و کامپیوتر، دانشکده ف
چکیده
ساختارهای نانو بلوری سیلیکان و ژرمانیم به کمک هیدروژناسیون با پلاسمای RF و حرارت دهی در چندین مرحله متوالی و بدون نیاز به استفاده از فلز ، بر بستر شیشه ای رشد داده شده اند . این فرآیند منجر به ایجاد ساختار های دانه ای سیلیکان و ژرمانیم با اندازه متوسط دانه کمتر از 100 نانومتر به ترتیب در دماهای پایین150 °C و 250 °Cمی شود . اثر توان پلاسمای هیدروژن در دماهای مختلف بر روی بلورینگی این لایه ها به کمک آنالیز TEMو SEM بررسی شده اند . با کنترل دمای حرارت دهی و توان پلاسما ، لایه های چند بلوره سیلیکان و ژرمانیم با کیفیت افزاره ای رشد داده شده اند که می توان از آنها در ساخت ترانزیستورهای لایه نازک که در الکترونیک مساحت بزرگ ارزان قیمت کاربرد دارند ، استفاده کردکلیدواژه ها
مقالات مرتبط جدید
- Analytical determination of flexural rigidity of thin-walled pultruded composite I-beams
- Matrix-Dominated Damage Process in CFRP Composite Laminates underFlexural Loading Condition
- Indentation Size Scale Effect on Mechanical Properties of Cold SprayCoating
- Determination of Forming Limit Diagrams for Tailor Welded Blanks
- Control of dynamic building façade: design, analysis and experiments
اطلاعات بیشتر در مورد COI
COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.
کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.