اثر بازپخت برروی تشکیل فاز β−SiC در نمونه های سیلیکونی بمباران شده با متان؛ مشخصه یابی به کمک طیف سنجی FTIR

  • سال انتشار: 1384
  • محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران ۱۳۸۴
  • کد COI اختصاصی: IPC84_075
  • زبان مقاله: فارسی
  • تعداد مشاهده: 1335
دانلود فایل این مقاله

نویسندگان

حسن دیباجی

سازمان انرژی اتمی ایران، مرکز تحقیقات کشاورزی و پزشکی هسته ای مرکز کرج

مجید مجتهدزاده

سازمان انرژی اتمی ایران، مرکز تحقیقات کشاورزی و پزشکی هسته ای مرکز کرج

محسن صالح کوتاهی

دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی، دانشکده علوم، گروه فیزیک

عبدالجواد نوین روز

سازمان انرژی اتمی ایران، مرکز تحقیقات کشاورزی و پزشکی هسته ای مرکز کرج

چکیده

گاز متان با انرژی 90 keV و گستره دز از / cm 2 یون 4 ×10به توان 17 تا 3/2 ×10 به توان 18 درون سیلیکون کاشته شده است . دمای زیر لایه ها در حین کاشت 570 0 C و بازپخت بعدی در دمای 980 0 C بوده است . اندازه گیری های FTIR نشان می دهد که بلافاصله بعد از کاشت، پیوند بین کربن و سیلیکون برقرار شده و کاربید سیلیکون آمورف هیدروژن دار ) ) a−SiC : H تشکیل و بعد از بازپخت، لایه های آمورف به β −SiC تبدیل شده اند . در این مقاله نشان داده شده است که میزان کریستالیزه شدن β −SiC از دز / cm 2 یون 4 ×10 به توان 17 تا دز 1/2 × 10به توان 18 افزایش و بعد از این دز تا 3/2 × 10به توان 18 کاهش یافته است . بنابراین دز بهینه ای برای تشکیل β −SiC وجود دارد . همچنین در این مقاله ضخامت لایه ها بوسیله طیف سنجی FTIR محاسبه شده است

کلیدواژه ها

مقالات مرتبط جدید

اطلاعات بیشتر در مورد COI

COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.

کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.