The influence of bulk donor and acceptor traps on electrical behavior of p+n photodiode based on InSb

  • سال انتشار: 1392
  • محل انتشار: همایش مهندسی برق و توسعه پایدار با محوریت دستاوردهای نوین در مهندسی برق
  • کد COI اختصاصی: EOESD01_206
  • زبان مقاله: انگلیسی
  • تعداد مشاهده: 816
دانلود فایل این مقاله

نویسندگان

Parinaz Vahdani Moghadam

Department of Electrical Engineering, Islamic Azad University- South Tehran Branch, Tehran, Iran

Mortaza Fathipour

Department of Electrical & Computer Engineering Faculty of Engineering University of Tehran, Tehran, Iran

Gholamreza Abaeiani

Semiconductor Department, Laser and Optics Research School, Tehran, Iran

چکیده

The influence of bulk donor and acceptor traps on electrical behavior of p+n photodiode based on InSb, is modeled. Theeffects of different trap types with different energy level on the dark current level, recombination rate, and electric field profile at 77Kare investigated. Our results show that the bulk acceptor traps with energy level near valence band significantly increase the darkcurrent and reduce the electric field. We also show that the acceptor traps in bulk increase recombination rate

کلیدواژه ها

InSb; donor and acceptor bulk traps recombination rate; TCAD

مقالات مرتبط جدید

اطلاعات بیشتر در مورد COI

COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.

کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.