تاثیر مقدار فلوئور بر خواص الکتریکی پوشش FTO جهت استفاده در سلول‌های خورشیدی نانوساختار

سال انتشار: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 795

نسخه کامل این مقاله ارائه نشده است و در دسترس نمی باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

PSC28_172

تاریخ نمایه سازی: 25 اردیبهشت 1393

چکیده مقاله:

در این مطالعه، روش پیرولیز پاششی برای لایه نشانی اکسید قلع آلاییده شده با فلوئور بر روی زیرلایه شیش‌های ، به منظور کاربرد در سلول‌های خورشیدی نانوساختار به کار گرفته شد. کلرید قلع پنج به (SnCl4.5H2O) به عنوان پیش ماده قلع مورد استفاده قرار گرفت. برای افزودن فلوئور داخل ساختار اکسید قلع از مقادیر مختلف پیش ماده فلورید آمونیوم (NHR4F ) استفاده شد. سپس به بررسی و مقایسه مقاومت الکتریکی سطحی پوشش‌های تهیه شده با مقادیر مختلف فلوئور (نسبت‌های مولی F/Sn برابر با 1/5، 1/7 و 1/9) پرداخته شد. نتایج نشان داد که نسبت مولی F/Sn برابر با 1/7 منجر به تهیه پوشش‌هایی با مقاومت الکتریکی سطحی پایین‌تر می‌شود. در نهایت به بررسی اثر مقدار محلول پاشش شده بر میکروساختار پوشش تهیه شده در شرایط بهینه پرداخته شد

نویسندگان

فاطمه دبیر

دانشکده فنی و مهندسی دانشگاه تربیت مدرس تهران، ایران

رسول صراف ماموری

دانشکده فنی و مهندسی دانشگاه تربیت مدرس تهران، ایران

نسترن ریاحی نوری

مرکز شیمی و مواد-گروه پژوهشی غیر فلزی پژوهشگاه نیرو تهران، ایران