تاثیر مقدار فلوئور بر خواص الکتریکی پوشش FTO جهت استفاده در سلولهای خورشیدی نانوساختار
محل انتشار: بیست و هشتمین کنفرانس بین المللی برق
سال انتشار: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 795
نسخه کامل این مقاله ارائه نشده است و در دسترس نمی باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
PSC28_172
تاریخ نمایه سازی: 25 اردیبهشت 1393
چکیده مقاله:
در این مطالعه، روش پیرولیز پاششی برای لایه نشانی اکسید قلع آلاییده شده با فلوئور بر روی زیرلایه شیشهای ، به منظور کاربرد در سلولهای خورشیدی نانوساختار به کار گرفته شد. کلرید قلع پنج به (SnCl4.5H2O) به عنوان پیش ماده قلع مورد استفاده قرار گرفت. برای افزودن فلوئور داخل ساختار اکسید قلع از مقادیر مختلف پیش ماده فلورید آمونیوم (NHR4F ) استفاده شد. سپس به بررسی و مقایسه مقاومت الکتریکی سطحی پوششهای تهیه شده با مقادیر مختلف فلوئور (نسبتهای مولی F/Sn برابر با 1/5، 1/7 و 1/9) پرداخته شد. نتایج نشان داد که نسبت مولی F/Sn برابر با 1/7 منجر به تهیه پوششهایی با مقاومت الکتریکی سطحی پایینتر میشود. در نهایت به بررسی اثر مقدار محلول پاشش شده بر میکروساختار پوشش تهیه شده در شرایط بهینه پرداخته شد
کلیدواژه ها:
نویسندگان
فاطمه دبیر
دانشکده فنی و مهندسی دانشگاه تربیت مدرس تهران، ایران
رسول صراف ماموری
دانشکده فنی و مهندسی دانشگاه تربیت مدرس تهران، ایران
نسترن ریاحی نوری
مرکز شیمی و مواد-گروه پژوهشی غیر فلزی پژوهشگاه نیرو تهران، ایران