طراحی و شبیه سازی خازن متغیر MEMS سه صفحهای در فرایند استاندارد CMOS
عنوان مقاله: طراحی و شبیه سازی خازن متغیر MEMS سه صفحهای در فرایند استاندارد CMOS
شناسه ملی مقاله: ISFAHANELEC01_075
منتشر شده در اولین کنفرانس ملی مهندسی برق اصفهان در سال 1391
شناسه ملی مقاله: ISFAHANELEC01_075
منتشر شده در اولین کنفرانس ملی مهندسی برق اصفهان در سال 1391
مشخصات نویسندگان مقاله:
مینا آشوری - دانش کارشناسی ارشد الکترونیک موسسه آموزش عالی سجاد - مشهد
هومن نبوتی - استادیار گروه مهندسی برق - موسسه آموزش عالی سجاد - مشهد
خلاصه مقاله:
مینا آشوری - دانش کارشناسی ارشد الکترونیک موسسه آموزش عالی سجاد - مشهد
هومن نبوتی - استادیار گروه مهندسی برق - موسسه آموزش عالی سجاد - مشهد
این مقاله به بررسی عملکرد خازن های الکترا مکانیکی که با تنظیم فاصله هوایی تغییر ظرفیت میدهد میپردازد و به منظور افزایش همزمان با سه تنظیم و ضریب کیفیت، یک خازن سه صفحهای شکل قابل ساخت در فرایند استاندارد CMOS دستاندازی بشری گردیده است. شبیه سازی خازن به وسیله نرمافزار EM3DS صورت گرفته و نتایج حاصل به تنظیم صددر صد را نشان میدهد که نسبت به خازن صفحه موازی معمول دو برابر افزایش یافته است. صفحات این خازن با استفاده از لایههای فلزی موجود در فرآیند CMOS μm 0.18 طراحی شده است که موجب کاهش مقاومت سری افزایش ضریب کیفیت 300 و GHZ 1 شده است.
کلمات کلیدی: خازن متغیر سه صفحهای شکل، خازن الکترا مکانیکی با تنظیم فاصله هوایی
صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://civilica.com/doc/237019/