مطالعه ابتدابه ساکن توپولوژی چگالی بارالکترونی درنانوسیمMnAs تحت تنش طولی

  • سال انتشار: 1392
  • محل انتشار: سومین همایش سراسری کاربردهای دفاعی علوم نانو
  • کد COI اختصاصی: BSNANO03_120
  • زبان مقاله: فارسی
  • تعداد مشاهده: 849
دانلود فایل این مقاله

نویسندگان

جلال رضی خوشکاروندانی

مجتمع مسکونی هوانیروزاصفهان

علیرضا نقوی

اصفهان خ هزارجریب کوی شهیدخسروپوردرب پاتاق مجتمع مسکونی

چکیده

دراین پروژه به مطالعه ابتدابه ساکن نمونه ای فلزی که درصنایع اسپین ترونیک نانوالکترونیک و نانوترانزیستور حائز اهمیت است پرداخته ایم کلیه محاسبات درچارچوب نظریه تابعی چگالی DFT میباشند وبرای انجام پروژه ازکدهای محاسباتی WIEN2kوCRITIC استفاده شده است محاسبات توپولوژی توسط کدCRITIC که برپایه چگالی بارالکترونی بدست امده ازکدمحاسباتی WIEN2k می باشد انجام شده است مطالعات پروژه براساس روش توپولوژی چگالی بارالکترونی به عنوان یک میدان اسکالر درسه بعدصورت گرفته است این مطالعات ازمنظر رفتارتوپولوژی چگالی بارالکترونی ساختارMnAs درفاز هگزاگونال تحت تنش طولی درطولهای مختلف دربخش نانوسیم ماده انجام شدها ست دراین پروژه ابتدا نانوسیم را تحت تنش طولی قرارمیدهیم نقطه گسیختن نانوسیم باتغییرات ناگهانی درکمیت های توپولوژیکی و همچنین خارج شدن ازرفتارکشسانی باتغییرات محسوس دررفتارتوپولوژی همراه است دراین پروژه همچنین به معرفی روش محاسبه مدول یانگ درنانوسیم MnAs ومقداربدست امده مدول یانگ نیز اشاره شده است

کلیدواژه ها

نظریه تابعی چگالی DFT، اسپین ترونیک، توپولوژی چگالی بارالکترونی، نانوسیم، کدمحاسباتیCRITIC

مقالات مرتبط جدید

اطلاعات بیشتر در مورد COI

COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.

کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.