مهدی گلی مقدم - دانشگاه صنعتی شاهرود
محمدابراهیم قاضی - دانشگاه صنعتی شاهرود
مرتضی ایزدی فرد - دانشگاه صنعتی شاهرود

این مقاله به فرایند پیشرفت و ساختن اندیک الومینیوم اکسیدAA0 که برای تولید نانووایرها و نانورادها بانظم وارایش بسیاربالا مناسب است اشاره دارد لایه های اکسیدمتخلخل توسط روش اندایز چندمرحله ای ایجادمیشوند تاثیر دما زمان و ولتاژ اندایز روی لایه ی الومینای ایجادشده توسط میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی FESEM مورد انالیز و مشخصه یابی قرارگرفته است نتایج این مطالعه نشان میدهد که بهترین تخلخل تحت ولتاژ و زمان اندایز بترتیب 25V,3.5hحاصل میشود

آندایزیشن، تخلخل، FESEM